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参数资料
| 型号： | DMN32D2LV-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-563 |
| 产品变化通告： | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 400mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 欧姆 @ 100mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 39pF @ 3V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN32D2LV-7DIDKR |
DMN32D2LV
1.8
1.6
1.4
1.2
V GS = 4V
I D = 100mA
V GS = 2.5V
I D = 20mA
V GS = 1.8V
I D = 20mA
1.0
0.8
0.6
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (C°)
Fig. 7 Normalized Static Drain-Source On-Resistance
vs. Ambient Temperature
50
f = 1 MHz
40
30
20
10
C iss
C oss
C rss
0
0
5 10 15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Capacitance
20
10000
1000
T A = 125°C
10000
1000
T A = 125°C
100
10
1
T A = 105°C
T A = 25°C
100
10
1
T A = 105°C
T A = 25°C
0.1
0
2 4 6 8 10 12
0.1
0
2 4 6 8 10 12
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.11 Gate-Source Leakage Current vs Voltage
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (-V)
Fig.12 Gate-Source Leakage Current vs Voltage
DMN32D2LV
Document number: DS31121 Rev. 7 - 2
4 of 6
www.diodes.com
January 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3300U-7 | MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3300U | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH W DIODE 30V 2A SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 2A, SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 2A, SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:600mW ;RoHS Compliant: Yes |
| DMN3300U-7 | 功能描述:MOSFET 600mW 30Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3300U-7-F | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Product specification |
| DMN3404L | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| DMN3404L-7 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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