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参数资料
| 型号： | DMN3730UFB4-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 750MA DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 750mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 460 毫欧 @ 200mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 64.3pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 470mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-DFN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN3730UFB4-7DKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN3730UFB4
1.2
1.0
2.0
1.6
T A = 25°C
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I D = 250μA
I D = 1mA
1.2
0.8
0.4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
100
C iss
10,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
1,000
T A = 150°C
T A = 125°C
10
C rss
C oss
100
T A = 85°C
10
T A = 25°C
f = 1MHz
1
1
0
5 10 15 20 25
30
0
5 10 15 20 25
30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
8
6
4
2
0
V DS = 15V
I D = 1A
0
0.5 1 1.5 2 2.5
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
3
DMN3730UFB4
Document number: DS35017 Rev. 5 - 2
4 of 6
www.diodes.com
July 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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