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参数资料
| 型号： | DMN3730UFB4-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 750MA DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 750mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 460 毫欧 @ 200mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 64.3pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 470mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-DFN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN3730UFB4-7DKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN3730UFB4
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
D = 0.02
R ? JA = 253°C/W
0.01 D = 0.01
P(pk)
t 1
T J A = P * R ? JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 2
0.001
D = 0.005
D = Single Pulse
-T
t 2
/t
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 12 Transient Thermal Response
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
Dim
X2-DFN1006-3
Min Max Typ
A
?
0.40
?
A1
D
A1
b1
b2
D
E
0
0.10
0.45
0.95
0.55
0.05 0.02
0.20 0.15
0.55 0.50
1.075 1.00
0.675 0.60
b1
e
??
??
0.35
E
b2
e
L1
L2
0.20
0.20
0.30 0.25
0.30 0.25
L3
?? ??
0.40
All Dimensions in mm
L2
L3
L1
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for latest version.
C
X 1
Dimensions
Z
Value (in mm)
1.1
X
G2
G1
G2
X
X1
0.3
0.2
0.7
0.25
Y
G1
Y
C
0.4
0.7
Z
DMN3730UFB4
Document number: DS35017 Rev. 5 - 2
5 of 6
www.diodes.com
July 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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