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参数资料
| 型号： | DMN66D0LDW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363 |
| 产品变化通告： | Wire Change 23/May/2008 |
| 其它图纸： | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 欧姆 @ 115mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 23pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN66D0LDWDIDKR |
DMN66D0LDW
1
0.1
T A = 150°C
T A = 125°C
0.01
0.001
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.0001
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for the latest version.
A
SOT363
Dim
Min
Max
B C
A
B
C
0.10
1.15
2.00
0.30
1.35
2.20
D
0.65 Typ
F
0.40
0.45
H
H
J
1.80
0
2.20
0.10
K
M
K
L
M
0.90
0.25
0.10
1.00
0.40
0.22
J
D
F
L
α 0° 8°
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
2.5
1.3
Z
G
C1
X
Y
C1
0.42
0.6
1.9
Y
X
C2
0.65
DMN66D0LDW
Document number: DS31232 Rev. 6 - 2
4 of 5
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN66D0LT-7 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 |
| DMP1022UFDE-7 | MOSF P CH 12V U-DFN2020-6 TYPE E |
| DMP1096UCB4-7 | MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP |
| DMP1245UFCL-7 | MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN |
| DMP2004DMK-7 | MOSFET DUAL P-CH 20V SOT-26 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN66D0LT | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN66D0LT-7 | 功能描述:MOSFET NMOS-Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN66D0LW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN66D0LW-7 | 功能描述:MOSFET NMOS-SINGLE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN-8602 | 制造商:LSI 制造商全称:LSI 功能描述:LSI Logic DiMeNsion 8602 DVD Recorder system Processor |
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