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参数资料
| 型号： | DMP1022UFDE-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 12V U-DFN2020-6 TYPE E |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 8.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2953pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 660mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-UDFN2020（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP1022UFDE-7DIDKR |
DMP1022UFDE
30
25
20
15
10
V GS = -8.0V
V GS = -4.5V
V GS = -2.5V
V GS = -2.0V
V GS = -1.8V
V GS = -1.5V
20
16
12
8
V DS = -5.0V
5
V GS = -1.2V
4
T A = 150 ° C
T A = 125 ° C
T A = 85 ° C
T A = 25 ° C
T A = -55 ° C
0
0
1
2 3 4
5
0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
3.0
0.06
0.05
-V DS , DRAIN -SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 4 Typical Output Characteristics
0.030
0.025
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 5 Typical Transfer Characteristics
V GS = -4.5V
0.04
0.03
0.02
0.01
0.020
0.015
0.010
0.005
T A = 150 ° C
T A = 125 ° C
T A = 85 ° C
T A = 25 ° C
T A = -55 ° C
0
0
5
10 15 20 25
30
0
0
4 8 12 16
20
1.7
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT
Fig. 6 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.04
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Fig. 7 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
1.5
0.03
1.3
V GS = -2 .5V
1.1
0.02
I D = -5 A
0.9
0.7
0.01
V GS = -4.5V
I D = -10 A
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 8 On-Resistance Variation with Temperature
Fig. 9 On-Resistance Variation with Temperature
DMP1022UFDE
D atasheet number: DS35477 Rev. 9 - 2
4 of 7
www.diodes.com
July 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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| DMP1096UCB4-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4,3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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