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参数资料
| 型号： | DMP1022UFDE-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 12V U-DFN2020-6 TYPE E |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 8.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2953pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 660mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-UDFN2020（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP1022UFDE-7DIDKR |
DMP1022UFDE
Package Outline Dimensions
A
D
A1
A3
Dim
A
A1
A3
b
b1
D
D2
U-DFN2020-6
Type E
Min
Max Typ
0.57
0.63 0.60
0 0.05 0.03
? ? 0.15
0.25 0.35 0.30
0.185
0.285 0.235
1.95
2.05 2.00
0.85 1.05 0.95
b1
K1
E
E2
1.95 2.05 2.00
1.40 1.60 1.50
D2
e
? ?
0.65
E E2
L1
K2
L(2X)
L
L1
K1
K2
Z
0.25 0.35 0.30
0.82 0.92 0.87
? ? 0.305
? ?
0.225
? ?
0.20
All Dimensions in mm
Z(4X)
Suggested Pad Layout
e
b(6X)
Dimensions
C
Value
(in mm)
0.650
Y3 Y2
X2
Y1
X
X1
0.400
0.285
X2
1.050
X1
Y
Y1
Y2
Y3
0.500
0.920
1.600
2.300
X (6x)
C
Y (2x)
DMP1022UFDE
D atasheet number: DS35477 Rev. 9 - 2
6 of 7
www.diodes.com
July 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP1096UCB4-7 | MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP1045U | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P CH W ESD 12V SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P CH, W ESD, 12V, SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P CH, W ESD, 12V, SOT23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:5.2A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-0.55V ;RoHS Compliant: Yes |
| DMP1045U-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP1045UFY4-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP1080UCB4-7 | 功能描述:MOSFET P-Ch Enh Mode FET 80mOhm -12V -3.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP1096UCB4-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4,3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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