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参数资料
| 型号： | DMP1022UFDE-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 12V U-DFN2020-6 TYPE E |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 8.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2953pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 660mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-UDFN2020（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP1022UFDE-7DIDKR |
DMP1022UFDE
1.4
20
1.2
16
1.0
0.8
0.6
12
8
0.4
4
0.2
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 10 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
4,000
100,000
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 11 Diode Forward Voltage vs. Current
3,500
3,000
f = 1MHz
2,500
C iss
10,000
T A = 150°C
2,000
1,500
1,000
500
C oss
C rss
1,000
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
3 6 9 12
15
100
0
2 4 6 8 10 12
8
6
4
2
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 Typical Junction Capacitance
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 13 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 14 Gate-Charge Characteristics
DMP1022UFDE
D atasheet number: DS35477 Rev. 9 - 2
5 of 7
www.diodes.com
July 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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| DMP1045U-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP1045UFY4-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP1080UCB4-7 | 功能描述:MOSFET P-Ch Enh Mode FET 80mOhm -12V -3.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP1096UCB4-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4,3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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