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参数资料
| 型号： | DMP2035UTS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.04A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1610pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 890mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP2035UTS-13DIDKR |
DMP2035UTS
0.10
0.08
0.06
0.05
0.04
V GS = 4.5V
0.06
T A = 125°C
T A = 150°C
0.03
T A = 85°C
0.04
0.02
0
V GS = 1.8V
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
0.02
0.01
0
T A = 25°C
T A = -55°C
0
5 10 15 20 25
30
0
4
8 12 16 20
1.6
1.4
1.2
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.06
0.05
0.04
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
V GS = 2.5V
I D = 5A
0.03
V GS = 4.5V
1.0
I D = 10A
0.02
V GS = 4.5V
I D = 10A
0.8
V GS = 2.5V
I D = 5A
0.01
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
1.2
1.0
0.8
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
20
16
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
0.6
I D = 250μA
I D = 1mA
12
T A = 25°C
8
0.4
0.2
4
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMP2035UTS
Document number: DS31940 Rev. 3 - 2
3 of 6
www.diodes.com
January 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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