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参数资料
| 型号： | DMP2035UTS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.04A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1610pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 890mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP2035UTS-13DIDKR |
DMP2035UTS
100,000
10,000
10,000
T A = 150°C
1,000
T A = 150°C
T A = 125°C
1,000
T A = 125°C
100
T A = 85°C
100
10
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
10
T A = 25°C
T A = -55°C
1
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
1
2 3 4 5 6 7 8
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
10,000
Fig. 9 Typical Drain-Source Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
100
Fig. 10 Leakage Current vs. Gate-Source Voltage
90
Single Pulse
R θ JA = 143°C/W
1,000
T A = 150°C
T A = 125°C
80
70
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
T J - T A = P * R θ JA (t)
60
100
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
50
40
30
10
20
10
1
1
2 3 4 5 6 7 8
0
0.0001
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1,000
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 Leakage Current vs. Gate-Source Voltage
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 12 Single Pulse Maximum Power Dissipation
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
D = 0.02
R θ JA = 143°C/W
0.01
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
Duty Cycle, D = t 1 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
/t
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 13 Transient Thermal Response
DMP2035UTS
Document number: DS31940 Rev. 3 - 2
4 of 6
www.diodes.com
January 2010
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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