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参数资料
| 型号： | DMP2066LDM-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26 |
| 产品目录绘图： | SOT-26 Package Top SOT-26 Package Side 1 SOT-26 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 820pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-26 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2066LDMDIDKR |
DMP2066LDM
30
20
24
18
12
6
V GS = 10V
V GS = 4.5V
V GS = 3.0V
V GS = 2.5V
16
12
8
4
V DS = 5.0V
V GS = 2.0V
T A = 150°C
T A = 85°C
0
V GS = 1.5V
0
T A = 125°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
4
1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
0.08
0.06
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
V GS = 4.5V
T A = 150°C
T A = 125°C
0.1
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0.04
0.02
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.01
0
6 12 18 24
30
0
0
6
12 18 24
30
1.6
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
2.4
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.4
V GS = 10V
2.0
I D = 10A
1.6
1.2
V GS = 4.5V
1.0
I D = 5A
1.2
0.8
I D = 1mA
I D = 250μA
0.8
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 Normalized On-Resistance vs. Ambient Temperature
0.4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
DMP2066LDM
Document number: DS31464 Rev. 4 - 2
3 of 5
www.diodes.com
December 2011
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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| DMP2066LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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