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参数资料
| 型号： | DMP2066LDM-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26 |
| 产品目录绘图： | SOT-26 Package Top SOT-26 Package Side 1 SOT-26 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 820pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-26 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2066LDMDIDKR |
DMP2066LDM
20
10,000
T A = 25°C
f = 1MHz
16
12
1,000
8
4
0
100
C oss
C rss
C iss
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
0
5 10 15
20
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Diode Forward Voltage vs. Current
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 8 Typical Total Capacitance
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
D = 0.02
R θ JA = 120°C/W
0.01
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
Duty Cycle, D = t 1 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
/t
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 9 Transient Thermal Response
Package Outline Dimensions
A
SOT26
Dim Min Max Typ
B C
A
B
C
0.35 0.50 0.38
1.50 1.70 1.60
2.70 3.00 2.80
D
? ?
0.95
H
2.90 3.10 3.00
H
J
0.013 0.10 0.05
K
M
K
L
M
1.00 1.30 1.10
0.35 0.55 0.40
0.10 0.20 0.15
J
DMP2066LDM
Document number: DS31464 Rev. 4 - 2
D
L
4 of 5
www.diodes.com
α 0° 8° ?
All Dimensions in mm
December 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| DMP2066LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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