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参数资料
| 型号： | DMP2066LSN-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3 |
| 产品目录绘图： | SC-59 Package Top SC-59 Package Side |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 820pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SC-59-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2066LSNDIDKR |
DMP2066LSN
1
0.08
0.06
V GS = 4.5V
T A = 150°C
T A = 125°C
0.1
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0.04
0.02
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.01
0
6 12 18 24
30
0
0
6
12 18 24
30
1.6
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
2.4
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.4
V GS = 10V
2.0
I D = 10A
1.6
1.2
V GS = 4.5V
1.0
I D = 5A
1.2
0.8
I D = 1mA
I D = 250μA
0.8
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 Normalized On-Resistance vs. Ambient Temperature
20
0.4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
T A = 25°C
f = 1MHz
16
12
1,000
8
4
0
100
C oss
C rss
C iss
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
0
5 10 15
20
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Diode Forward Voltage vs. Current
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 8 Typical Total Capacitance
DMP2066LSN
Document number: DS31467 Rev. 4 - 2
3 of 5
www.diodes.com
August 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP2066LSS-13 | MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC |
| DMP2066UFDE-7 | MOSF P CH 20V 6.2A U-DFN2020-6E |
| DMP2069UFY4-7 | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN |
| DMP2070UCB6-7 | MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6 |
| DMP2100UCB9-7 | MOSFET P CH 20V 3A U-WLB1515-9 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP2066LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP2066LSS-13 | 功能描述:MOSFET P-Channel 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2066LVT-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P-CH 20V TSOT26 |
| DMP2066UFDE | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:25V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP2066UFDE-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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