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参数资料
| 型号： | DMP2066LSN-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3 |
| 产品目录绘图： | SC-59 Package Top SC-59 Package Side |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 820pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SC-59-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2066LSNDIDKR |
DMP2066LSN
Ordering Information
(Note 7)
Part Number
DMP2066LSN-7
Case
SC-59
Packaging
3000/Tape & Reel
Notes:
7. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
PS4 = Product Type Marking Code
PS4
YM = Date Code Marking
Y = Year ex: V = 2008
M = Month ex: 9 = September
Date Code Key
Year
Code
2008
V
2009
W
2010
X
2011
Y
2012
Z
2013
A
2014
B
2015
C
Month
Code
Jan
1
Feb
2
Mar
3
Apr
4
May
5
Jun
6
Jul
7
Aug
8
Sep
9
Oct
O
Nov
N
Dec
D
Package Outline Dimensions
A
Dim
A
SC-59
Min Max
0.35 0.50
TOP VIEW
G
H
B C
B
C
D
G
H
J
1.50 1.70
2.70 3.00
0.95
1.90
2.90 3.10
0.013 0.10
K
J
D
N
L
M
K
L
M
N
1.00 1.30
0.35 0.55
0.10 0.20
0.70 0.80
α
0° 8°
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Y
Dimensions Value (in mm)
Z 3.4
Z
DMP2066LSN
Document number: DS31467 Rev. 4 - 2
X
E
C
4 of 5
www.diodes.com
X
Y
C
E
0.8
1.0
2.4
1.35
August 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP2066LSS-13 | MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC |
| DMP2066UFDE-7 | MOSF P CH 20V 6.2A U-DFN2020-6E |
| DMP2069UFY4-7 | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN |
| DMP2070UCB6-7 | MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6 |
| DMP2100UCB9-7 | MOSFET P CH 20V 3A U-WLB1515-9 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP2066LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP2066LSS-13 | 功能描述:MOSFET P-Channel 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2066LVT-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P-CH 20V TSOT26 |
| DMP2066UFDE | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:25V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP2066UFDE-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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