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参数资料
| 型号： | DMP2066UFDE-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 20V 6.2A U-DFN2020-6E |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1537pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 660mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN2020（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP2066UFDE-7DIDKR |
DMP2066UFDE
20
15
10
5
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
0
0
0.5 1 1.5 2 2.5
3
0.08
V DS , DRAIN -SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.05
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
0.04
V GS = 10V
T A =85°C
T A =125°C
T A =150°C
0.06
V GS = 1.8V
V GS = 2.5V
0.03
0.04
0.02
T A =25°C
T A =-55°C
0.02
V GS = 4.5V
0.01
0
0
5 10 15
20
0
0
5 10 15
20
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
I D , DRAIN SOURCE CURRENT
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMP2066UFDE
Document number: DS35496 Rev. 5 - 2
3 of 6
www.diodes.com
July 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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