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参数资料
| 型号： | DMP2066UFDE-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 20V 6.2A U-DFN2020-6E |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1537pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 660mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN2020（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP2066UFDE-7DIDKR |
DMP2066UFDE
1
0.1
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1000
t1, PULSE DURATION TIMES (sec)
Fig. 13 Transient Thermal Resistance
Package Outline Dimensions
A
A1
A3
Dim
A
U-DFN2020-6
Type E
Min Max Typ
0.57
0.63 0.60
A1
0 0.05 0.03
D
A3
b
? ? 0.15
0.25 0.35 0.30
b1
D
0.185
1.95
0.285 0.235
2.05 2.00
D2
b1
K1
D2
E
E2
0.85 1.05 0.95
1.95 2.05 2.00
1.40 1.60 1.50
E E2
L1
L(2X)
e
L
? ? 0.65
0.25 0.35 0.30
L1
0.82 0.92 0.87
K2
K1
K2
? ?
? ?
0.305
0.225
Z(4X)
DMP2066UFDE
Document number: DS35496 Rev. 5 - 2
e
b(6X)
5 of 6
www.diodes.com
Z ? ? 0.20
All Dimensions in mm
July 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP2069UFY4-7 | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN |
| DMP2070UCB6-7 | MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6 |
| DMP2100UCB9-7 | MOSFET P CH 20V 3A U-WLB1515-9 |
| DMP2104LP-7 | MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP2069UFY4 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP2069UFY4-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET P-CHAN. RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2070UCB6-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 U-WLB1015-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2100U-7 | 制造商:Zetex / Diodes Inc 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A T/R 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:20V P-CH MOSFET |
| DMP2100UCB9-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1515-9 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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