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参数资料
| 型号： | DMP2066UFDE-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 20V 6.2A U-DFN2020-6E |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1537pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 660mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN2020（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP2066UFDE-7DIDKR |
DMP2066UFDE
1.2
1
20
16
0.8
12
0.6
0.4
0.2
I D = -250μA
I D = 1mA
8
4
T A = 25 ° C
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1
1.2
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
100000
10000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
f = 1MHz
T A = 150 ° C
10000
C ISS
1000
1000
100
T A = 85 ° C
10
T A = 25 ° C
C OSS
C RSS
1
0
5 10 15 20
100
0
-4
-8
-12
-16
-20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
5
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Junction Capacitance
4
10
R DS(on)
Limited
P W = 100μs
3
2
1
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
0.1 T J(max) = 150°C
P W = 1ms
1
T A = 25°C
V GS = -12V
Single Pulse
0
0
2
4 6 8 10 12 14 16
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate Charge Characteristics
18
0.01 DUT on 1 * MRP Board
0.1 1 10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 SOA, Safe Operation Area
100
DMP2066UFDE
Document number: DS35496 Rev. 5 - 2
4 of 6
www.diodes.com
July 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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