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参数资料
| 型号： | DMP21D0UFB4-7B |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 20V 770MA DFN1006H4-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 770mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 495 毫欧 @ 400mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.54nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 80pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 430mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-DFN1006H4（1.0x0.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP21D0UFB4-7BDIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMP21D0UFB4
Maximum Ratings @T A = 25°C unless otherwise specified
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristic
Symbol
V DSS
V GSS
Value
-20
±8
Unit
V
V
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current (Note 6)
Steady
State
T A = 25°C (Note 4)
T A = 85°C (Note 4)
T A = 25°C (Note 5)
I D
I DM
-0.77
-0.55
-1.17
-5.0
A
A
Thermal Characteristics
@T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Power Dissipation (Note 4)
Power Dissipation (Note 5)
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 4)
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 5)
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P D
P D
R θ JA
R θ JA
T J , T STG
Value
0.43
0.99
293
126
-55 to +150
Unit
W
W
°C/W
°C/W
°C
Thermal Characteristics
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
Single Pulse
R θ JA = 120°C/W
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
T J - T A = P * R θ JA (t)
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (SEC)
Fig. 1 Single Pulse Maximum Power Dissipation
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.9
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 120°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
t 2
T J A = P * R θ JA (t)
D = 0.005
-T
Duty Cycle, D = t 1 2
/t
D = Single Pulse
0.001
0.000001 0.00001
0.0001
0.001 0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 2 Transient Thermal Response
DMP21D0UFB4
D atasheet number: DS35279 Rev. 3 - 2
2 of 7
www.diodes.com
February 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DMP21D0UFB-7B | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMP21D0UT-7 | 功能描述:MOSFET 20V P-Ch Enh FET PD 0.24W MIN RDSon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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