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参数资料
| 型号： | DMP21D0UFB4-7B |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 20V 770MA DFN1006H4-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 770mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 495 毫欧 @ 400mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.54nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 80pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 430mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-DFN1006H4（1.0x0.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP21D0UFB4-7BDIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMP21D0UFB4
Package Outline Dimensions
A
X2-DFN1006-3
Dim
Min
Max Typ
A1
A
?
0.40
?
D
b1
A1
b1
b2
D
E
0
0.10
0.45
0.95
0.55
0.05 0.03
0.20 0.15
0.55 0.50
1.05 1.00
0.65 0.60
E
b2
e
e
L1
?
0.20
? 0.35
0.30 0.25
L2
0.20
0.30 0.25
L3
? ?
0.40
All Dimensions in mm
L2
L3
L1
Suggested Pad Layout
C
X 1
Dimensions
Z
Value (in mm)
1.1
X
G2
G1
G2
X
X1
0.3
0.2
0.7
0.25
Y
G1
Y
C
0.4
0.7
Z
DMP21D0UFB4
D atasheet number: DS35279 Rev. 3 - 2
6 of 7
www.diodes.com
February 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP21D0UFD-7 | MOS P CH 20V 1.14A X1-DFN1212-3 |
| DMP21D0UT-7 | MOSFET P CH 20V 590A SOT523 |
| DMP21D5UFB4-7B | MOSF P CH 20V 700MA X2-DFN1006-3 |
| DMP2215L-7 | MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3 |
| DMP2225L-7 | MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP21D0UFB-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP21D0UFB-7B | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP21D0UFD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP21D0UFD-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP21D0UT-7 | 功能描述:MOSFET 20V P-Ch Enh FET PD 0.24W MIN RDSon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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