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参数资料
| 型号： | DMP3008SFG-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 30V POWERDI 3333-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2230pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | PowerDI3333-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP3008SFG-7DIDKR |
DMP3008SFG
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
0.01
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
D = 0.005
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 57°C/W
Duty Cycle, D = t1/ t2
Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t1, PULSE DURATION TIMES (sec)
Fig. 3 Transient Thermal Resistance
Electrical Characteristics T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
-30
?
?
?
?
?
?
-1.0
± 100
V
μA
nA
V GS = 0V, I D = -250μA
V DS = -30V, V GS = 0V
V GS = ± 20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage
V GS(th)
R DS (ON)
|Y fs |
V SD
-1.1
?
?
?
?
-1.6
12.5
18.5
13
-0.7
-2.1
17
25
?
-1.0
V
m Ω
S
V
V DS = V GS , I D = -250 μ A
V GS = -10V, I D = -10A
V GS = -4.5V, I D = -10A
V DS = -15V, I D = -10A
V GS = 0V, I S = -1A
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 8)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
Total Gate Charge (V GS = -10V)
Total Gate Charge (V GS = -4.5V)
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
C iss
C oss
C rss
R G
Q g
Q g
Q gs
Q gd
t D(on)
t r
t D(off)
t f
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
2230
328
294
6.4
47
23
9.4
5.6
10.5
8.5
90
40
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
pF
Ω
nC
ns
V DS = -15V, V GS = 0V
f = 1.0MHz
V DS = 0V, V GS = 0V, f = 1.0MHz
V DS = -15V, I D = -10A
V GS = -10V, V DS = -15V, R G = 6 Ω
Notes:
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
8. Guaranteed by design. Not subject to product testing.
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated
DMP3008SFG
Document number: DS35598 Rev. 5 - 2
3 of 7
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
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