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参数资料
| 型号： | DMP3008SFG-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 30V POWERDI 3333-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2230pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | PowerDI3333-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP3008SFG-7DIDKR |
DMP3008SFG
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 10 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
10,000
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 11 Diode Forward Voltage vs. Current
f = 1MHz
T A = 150°C
C iss
1,000
T A = 125°C
1,000
C oss
C rss
100
10
T A = 85°C
T A = 25°C
100
0
5 10 15 20 25
30
1
0
5 10 15 20 25 30
10
8
6
4
2
0
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 Typical Junction Capacitance
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 13 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
0
10 20 30 40 50
60
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 14 Gate-Charge Characteristics
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated
DMP3008SFG
Document number: DS35598 Rev. 5 - 2
5 of 7
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP3010LK3-13 | MOSFET P CH 30V 17A TO252 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DMP3015LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP3015LSS-13 | 功能描述:MOSFET P-Channel 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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