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参数资料
| 型号： | DMP3008SFG-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 30V POWERDI 3333-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2230pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | PowerDI3333-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP3008SFG-7DIDKR |
DMP3008SFG
Package Outline Dimensions
A
A3
POWERDI3333-8
Dim Min Max Typ
D
A1
D
E
3.25
3.25
3.35 3.30
3.35 3.30
E
Pin 1 ID
E2
1
8
D2
4
5
L
(4x)
b2
(4x)
L1
(3x)
D2
E2
A
A1
A3
b
b2
L
L1
e
Z
2.22
1.56
0.75
0
?
0.27
?
0.35
?
?
?
2.32 2.27
1.66 1.61
0.85 0.80
0.05 0.02
? 0.203
0.37 0.32
? 0.20
0.45 0.40
?
0.39
?
0.65
?
0.515
Z (4x)
e
b (8x)
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
X
G
Dimensions
C
Value (in mm)
0.650
Y2
8
G1
5
Y1
G
G1
Y
0.230
0.420
3.700
Y
Y1
Y2
2.250
1.850
Y3
1
X2
C
4
Y3
X
X2
0.700
2.370
0.420
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated
DMP3008SFG
Document number: DS35598 Rev. 5 - 2
6 of 7
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP3010LK3-13 | MOSFET P CH 30V 17A TO252 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DMP3010LPS-13 | 功能描述:MOSFET P-CH -30V VBR 1KV 2.18W PD Min RDS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP3015LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP3015LSS-13 | 功能描述:MOSFET P-Channel 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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