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参数资料
| 型号： | DMP3020LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | DMN Series Top DMN Series Side 1 DMN Series Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1802pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP3020LSSDIDKR |
DMP3020LSS
Maximum Ratings (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristic
Symbol
V DSS
V GSS
Value
-30
? 25
Units
V
V
Drain Current (Note 5)
Pulsed Drain Current (Note 6)
Steady
State
T A = +25°C
T A = +70°C
I D
I DM
-12
-6
-40
A
A
Thermal Characteristics
Characteristic
Total Power Dissipation (Note 5)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P D
R ? JA
T J, T STG
Value
2.5
50
-55 to +150
Unit
W
°C/W
°C
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
-30
?
?
?
?
?
?
?
?
-1
? 100
? 800
V
μ A
nA
V GS = 0V, I D = -250 μ A
V DS = -30V, V GS = 0V
V GS = ? 20V, V DS = 0V
V GS = ? 25V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage (Note 7)
V GS(th)
R DS (ON)
g fs
V SD
-1
??
?
?
-0.5
?
11.6
18.6
12
?
-2
14
25
?
-1.1
V
m ?
S
V
V DS = V GS , I D = -250 μ A
V GS = -10V, I D = -8A
V GS = -4.5V, I D = -5A
V DS = -10V, I D = -12A
V GS = 0V, I S = -2A
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
?
1802
?
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
C oss
C rss
R G
?
?
??
415
295
2.3
?
?
??
pF
pF
?
V DS = -15V, V GS = 0V, f = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 0V, f = MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
??
??
??
??
??
??
??
15.3
30.7
3.5
7.9
5.1
8
46
30
??
??
??
??
??
??
??
nC
ns
V DS = -15V, V GS = -4.5V, I D = -8A
V DS = -15V, V GS = -10V, I D = -8A
V DS = -15V, V GS = -10V, I D = -8A
V DS = -15V, V GS = -10V, I D = -8A
V GS = -10V, V DS = -15V,
R D = 15 ? , R G = 6 ?
Notes:
5. Device mounted on 2 oz. Copper pads on FR-4 PCB with R ? JA = 50°C/W.
6. Pulse width ? 10 μ s, Duty Cycle ? 1%.
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
DMP3020LSS
Document number: DS31263 Rev. 11 - 2
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www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
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