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参数资料
| 型号： | DMP3020LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | DMN Series Top DMN Series Side 1 DMN Series Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1802pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP3020LSSDIDKR |
DMP3020LSS
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
SO-8
Dim
A
A1
Min
-
0.10
Max
1.75
0.20
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A2
A3
b
1.30
0.15
0.3
1.50
0.25
0.5
Detail ‘A’
D
E
4.85
5.90
4.95
6.10
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
Detail ‘A’
E1
e
h
L
??
3.85 3.95
1.27 Typ
- 0.35
0.62 0.82
0 ? 8 ?
e
b
All Dimensions in mm
D
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
X
Dimensions
Value (in mm)
C2
Y
DMP3020LSS
Document number: DS31263 Rev. 11 - 2
C1
X
Y
C1
C2
5 of 6
www.diodes.com
0.60
1.55
5.4
1.27
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP3030SN-7 | MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DMP3025LK3-13 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10.6A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| DMP3028LFDE-13 | 功能描述:MOSFET 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP3028LFDE-7 | 功能描述:MOSFET 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP3030SN | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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