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参数资料
| 型号： | DMP3020LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | DMN Series Top DMN Series Side 1 DMN Series Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1802pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP3020LSSDIDKR |
DMP3020LSS
2.4
2.0
1.6
20
16
12
T A = 25°C
1.2
I D = -250μA
8
0.8
0.4
4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
I D W =1ms
100
R DS(ON)
Limited
(A) @P
D (A
)@
10
10
I
P
W =
0μ
s
I D W =10s
I D (A) @ DC
(A) @P
I D (A) @
P W =10μs
I D W =1s
I D W =100ms
I D W =10ms
1
0.1
(A) @P
(A) @P
T J(MAX) = 150 ? C
(A) @P
0.01
T A = 25 ? C
Single Pulse
0.1
1 10
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 SOA, Safe Operation Area
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
D = 0.02
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
R ? JA = 87°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
0.001
D = 0.005
D = Single Pulse
t 2
T J - T A = P * R ? JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1 1 10
100
1,000
10,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 10 Transient Thermal Response
DMP3020LSS
Document number: DS31263 Rev. 11 - 2
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www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
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| DMP3030SN | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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