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参数资料
| 型号： | DMP3020LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | DMN Series Top DMN Series Side 1 DMN Series Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1802pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP3020LSSDIDKR |
DMP3020LSS
20
V GS = -10V
V GS = -3.5V
20
16
12
V GS = -4.5V
16
12
V DS = 5V
V GS = -3.0V
8
8
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
4
4
T A = 25°C
0
0
1
V GS = -2.5V
V GS = -2.0V
2 3 4
5
0
1
T A = -55°C
1.5 2 2.5 3
3.5
0.03
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
0.03
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
T A = 150°C
0.025
0.02
0.015
V GS = -4.5V
0.025
0.02
0.015
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.01
0.005
V GS = -10V
0.01
0.005
0
0
6 12 18 24
30
0
0
6
12 18 24
30
1.6
1.4
1.2
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
V GS = -10V
I D = -10A
V GS = -4.5V
I D = -5A
10,000
1,000
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
f = 1MHz
C iss
1.0
C oss
0.8
C rss
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
100
0
5 10 15 20 25
30
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 Normalized On-Resistance vs. Ambient Temperature
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Typical Total Capacitance
DMP3020LSS
Document number: DS31263 Rev. 11 - 2
3 of 6
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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