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参数资料
| 型号： | DS1250AB |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4096K Nonvolatile SRAM(4096K 非易失性静态RAM) |
| 中文描述： | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA32 |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | DS1250AB |
DS1250Y/AB
4096K Nonvolatile SRAM
DS1250Y/AB
042398 1/11
FEATURES
10 years minimum data retention in the absence of
external power
Data is automatically protected during power loss
Replaces 512K x 8 volatile static RAM, EEPROM or
Flash memory
Unlimited write cycles
Low–power CMOS
Read and write access times as fast as 70 ns
Lithium energy source is electrically disconnected to
retain freshness until power is applied for the first time
Full
±
10% V
CC
operating range (DS1250Y)
Optional
±
5% V
CC
operating range (DS1250AB)
Optional industrial temperature range of –40
°
C to
+85
°
C, designated IND
JEDEC standard 32–pin DIP package
New PowerCap Module (PCM) package
– Directly surface–mountable module
– Replaceable snap–on PowerCap provides lith-
ium backup battery
– Standardized pinout for all nonvolatile SRAM
products
– Detachment feature on PCM allows easy
removal using a regular screwdriver
PIN ASSIGNMENT
32–PIN ENCAPSULATED PACKAGE
740 MIL EXTENDED
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
1
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DQ7
DQ6
DQ3
DQ2
GND
CE
V
CC
1
2
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24
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22
21
20
19
18
A18
A17
A14
A11
A10
A7
A4
A3
A0
NC
NC
GND
V
BAT
34–PIN POWERCAP MODULE (PCM)
(USES DS9034PC POWERCAP)
PIN DESCRIPTION
A0 – A18
DQ0 – DQ7
CE
WE
OE
V
CC
GND
NC
– Address Inputs
– Data In/Data Out
– Chip Enable
– Write Enable
– Output Enable
– Power (+5V)
– Ground
– No Charge
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1250Y | 4096K Nonvolatile SRAM(4096K 非易失性静态RAM) |
| DS1250W | 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM(3.3V 4096K 非易失性静态RAM) |
| DS1251Y | 4096K NV SRAM with Phantom Clock(带幻影时钟的4096K NV 静态RAM) |
| DS1258AB | 128K x 16 Nonvolatile SRAM(128K x 16 非易失性静态RAM) |
| DS1258Y | 128K x 16 Nonvolatile SRAM(128K x 16 非易失性静态RAM) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1250AB-100 | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1250AB-100+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1250AB-100IND | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1250AB-100-IND | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1250AB-100IND+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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