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参数资料
| 型号： | DS1250AB |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4096K Nonvolatile SRAM(4096K 非易失性静态RAM) |
| 中文描述： | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA32 |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | DS1250AB |
A
1
DIM
MIN
MAX
A
IN.
MM
B
IN.
MM
C
IN.
MM
D
IN.
MM
E
IN.
MM
F
IN.
MM
G IN.
MM
H
IN.
MM
J
IN.
MM
K
IN.
MM
1.680
42.67
1.700
43.18
0.720
18.29
0.740
18.80
0.355
9.02
0.375
9.52
0.080
2.03
0.110
2.79
0.015
0.38
0.025
0.63
0.120
3.05
0.160
4.06
0.090
2.29
0.110
2.79
0.590
14.99
0.630
16.00
0.008
0.20
0.012
0.30
0.015
0.38
0.021
0.53
C
F
G
K
D
H
B
E
J
32–PIN
PKG
DS1250Y/AB
042398 8/11
DC TEST CONDITIONS
Outputs Open
Cycle = 200 ns for operating current
All voltages are referenced to ground
AC TEST CONDITIONS
Output Load: 100 pF + 1TTL Gate
Input Pulse Levels: 0 – 3.0V
Timing Measurement Reference Levels
Input: 1.5V
Output: 1.5V
Input pulse Rise and Fall Times: 5 ns
ORDERING INFORMATION
DS1250 TTP– SSS – III
Operating Temperature Range
blank: 0
°
to 70
°
IND: –40
°
to +85
°
C
Access
70:
100:
Speed
70 ns
100 ns
Package Type
blank: 32–pin 600 mil DIP
P: 34–pin PowerCap Module
Device Type
AB:
±
5%
Y:
±
10%
DS1250Y/AB NONVOLATILE SRAM 32–PIN 740 MIL EXTENDED DIP MODULE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1250Y | 4096K Nonvolatile SRAM(4096K 非易失性静态RAM) |
| DS1250W | 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM(3.3V 4096K 非易失性静态RAM) |
| DS1251Y | 4096K NV SRAM with Phantom Clock(带幻影时钟的4096K NV 静态RAM) |
| DS1258AB | 128K x 16 Nonvolatile SRAM(128K x 16 非易失性静态RAM) |
| DS1258Y | 128K x 16 Nonvolatile SRAM(128K x 16 非易失性静态RAM) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1250AB-100 | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1250AB-100+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1250AB-100IND | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1250AB-100-IND | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1250AB-100IND+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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