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参数资料
| 型号： | DS1250AB |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4096K Nonvolatile SRAM(4096K 非易失性静态RAM) |
| 中文描述： | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA32 |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | DS1250AB |
DS1250Y/AB
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RECOMMENDED POWERCAP MODULE LAND PATTERN
PKG
DIM
INCHES
MIN
NOM
MAX
A
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1.050
–
B
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0.826
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C
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0.050
–
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0.030
–
E
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0.112
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A
D
B
C
E
16 PL
RECOMMENDED POWERCAP MODULE SOLDER STENCIL
PKG
DIM
INCHES
MIN
NOM
MAX
A
–
1.050
–
B
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0.890
–
C
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0.050
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D
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0.030
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E
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0.080
–
A
D
B
C
E
16 PL
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1250AB-100 | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1250AB-100+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1250AB-100IND | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1250AB-100-IND | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1250AB-100IND+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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