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参数资料
型号： DS1250AB
厂商： DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分类： DRAM
英文描述： 4096K Nonvolatile SRAM(4096K 非易失性静态RAM)
中文描述： 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA32
文件页数： 6/11页
文件大小： 111K
代理商： DS1250AB
V
CC
3.2V
t
F
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PD
t
R
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REC
DATA RETENTION
TIME
t
DR
LEAKAGE CURRENT
I
SUPPLIED FROM
LITHIUM CELL
CE
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TP
SEE NOTE 11
DS1250Y/AB
042398 6/11
WRITE CYCLE 2
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WC
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ADDRESSES
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OUT
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DATA IN STABLE
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COE
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ODW
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DS
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DH2
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IL
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SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8, AND 13
POWER–DOWN/POWER–UP CONDITION
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PDF描述
DS1250Y 4096K Nonvolatile SRAM(4096K 非易失性静态RAM)
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参数描述
DS1250AB-100 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1250AB-100+ 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1250AB-100IND 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1250AB-100-IND 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
DS1250AB-100IND+ 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
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