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参数资料
| 型号： | DS2790G+T&R |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 10/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FUEL GAUGE BATT 28-TDFN |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 2,500 |
| 功能： | 燃料，电量检测计/监控器 |
| 电池化学： | 锂离子（Li-Ion） |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-TDFN |
| 供应商设备封装： | 28-TDFN-EP（8x4） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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DS2790 Programmable 1-Cell Li-Ion Fuel Gauge and Protector
Memory Organization
The DS2790 incorporates several memory areas:
? 4k words of utility ROM contain a debugger, program loader, and SHA-1 routines
? 4k words of EEPROM memory for application program storage
? 256 words of SRAM for storage of temporary variables
? 64 words of EEPROM memory for data storage
? 8 words of ADC conversion data information
? 16-level stack memory for storage of program return addresses and general-purpose use
The memory is implemented using the Harvard architecture, with separate address spaces for program and data
memory. A pseudo-Von Neumann memory map is also utilized placing ROM, application code, and data memory
into a single contiguous memory map. The pseudo-Von Neumann memory map allows data memory to be mapped
into program space, permitting code execution from data memory. In addition program memory may be mapped
into data space, permitting code constants to be accessed as data memory. Figure 3 shows the DS2790’s memory
map when executing from program memory space. See the MAXQ Family User's Guide: DS2790 Supplement for
memory map information when executing from data or ROM space.
The incorporation of EEPROM memory allows field upgrade of the firmware. EEPROM memory can be password
protected with a 16-word key, denying access to program memory by unauthorized individuals. ROM memory is
also available for high-volume, low-cost applications. Contact Dallas Semiconductor for more information on the
availability of ROM-based devices.
Figure 3. DS2790 Memory Map
SYSTEM
REGISTERS
PROGRAM
MEMORY SPACE
DATA MEMORY
(BYTE MODE)
DATA MEMORY
(WORD MODE)
8h
9h
Bh
Ch
Dh
Eh
AP
A
PFX
IP
SP
DPC
FFFFh
A13Fh
A100h
A0FFh
A000h
64 × 16
EEPROM DATA
256 × 16
SRAM DATA
FFFFh
FFFFh
Fh
DP
00h
0Fh
8FFFh
4K × 16
9FFFh
8K × 8
8FFFh
4K × 16
0h
PERIPHERAL
REGISTERS
M0
8000h
UTILITY ROM
8000h
UTILITY ROM
8000h
UTILITY ROM
1h
2h
00h
M1
M2
1Fh
600Ah
6003h
8 × 16
ADC DATA
0FFFh
16 × 16
STACK
0000h
4K × 16
USER PROGRAM
MEMORY
027Fh
0200h
01FFh
0000h
128 × 8
EEPROM DATA
512 × 8
SRAM DATA
013Fh
0100h
00FFh
0000h
64 × 16
EEPROM DATA
256 × 16
SRAM DATA
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