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IC/电子元器件

CMLDM5757 TR厂商、描述、价格、参数资料

型号
CMLDM5757 TR
数量
3000
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
价格(3000)
¥1.3895
价格(6000)
¥1.2999
价格(15000)
¥1.2102
价格(30000)
¥1.1474
价格(75000)
¥1.1206
价格(150000)
¥1.0758
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
430mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
900 毫欧 @ 430mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
1.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
175pF @ 16V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
3,000
CMLDM5757 TR相关电子产品资料
型号
CMLDM5757 TR
数量
5975
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
430mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
900 毫欧 @ 430mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
1.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
175pF @ 16V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
CMLDM5757 TR
数量
5975
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
430mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
900 毫欧 @ 430mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
1.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
175pF @ 16V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
CMLDM5757 TR
数量
3000
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
430mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
900 毫欧 @ 430mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
1.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
175pF @ 16V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
3,000
型号
CMLDM7002AG TR
数量
1400
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
280mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.59nC(4.5V)
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
CMLDM7002AG TR
数量
1400
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
280mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.59nC(4.5V)
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
CMLDM7002AG TR
数量
27800
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
280mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.59nC(4.5V)
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
3,000
型号
CMLDM7002AJ TR
数量
2255
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
280mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.59nC(4.5V)
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
CMLDM7002AJ TR
数量
2255
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
280mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.59nC(4.5V)
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
其它名称
型号
CMLDM7002AJ TR
数量
27800
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
280mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.59nC(4.5V)
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
3,000
型号
CMLDM7003 TR
数量
5997
厂商
Central Semiconductor Corp
描述
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
280mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
50pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1
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