EPC2039ENGRT

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

EPC2039ENGRT
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
EPC
模具
17+
-
全新原装现货

EPC2039ENGRT
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
20000
EPC
带卷（TR）
1521+
-
全新原装现货

EPC2039ENGRT
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
100239
EPC
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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功能描述
TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
GaNFET N 通道，氮化镓
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.8A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
22 毫欧 @ 6A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
2nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
210pF @ 40V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
模具
供应商器件封装
模具
标准包装
1

EPC2039ENGRT 技术参数

EPC2039 功能描述:TRANS GAN 80V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.4nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:210pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 6A，5V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:模具封装/外壳:模具标准包装:1 EPC2038ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.04nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2038 功能描述:TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.044nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:8.4pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.3 欧姆 @ 50mA，5V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:模具封装/外壳:模具标准包装:1 EPC2037ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 80μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.12nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12.5pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2037 功能描述:TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 80μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.12nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:14pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 100mA，5V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:模具封装/外壳:模具标准包装:1 EPC2100ENGRT EPC2101 EPC2101ENG EPC2101ENGRT EPC2102 EPC2102ENG EPC2102ENGRT EPC2103 EPC2103ENG EPC2103ENGRT EPC2104 EPC2104ENG EPC2104ENGRT EPC2105 EPC2105ENG EPC2105ENGRT EPC2106 EPC2106ENGRT