EPC2040

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封装
批号
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说明
操作

EPC2040
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
EPC
模具
21+
-
质量保真，价格实惠，假一罚十

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功能描述
MOSFET NCH 15V 3.4A DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
15V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
0.93nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
105pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
30 毫欧 @ 1.5A，5V
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
模具
封装/外壳
模具
标准包装
1

EPC2040 技术参数

EPC2039ENGRT 功能描述:TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 6A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:210pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2039 功能描述:TRANS GAN 80V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.4nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:210pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 6A，5V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:模具封装/外壳:模具标准包装:1 EPC2038ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.04nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2038 功能描述:TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.044nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:8.4pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.3 欧姆 @ 50mA，5V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:模具封装/外壳:模具标准包装:1 EPC2037ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 80μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.12nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12.5pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2101 EPC2101ENG EPC2101ENGRT EPC2102 EPC2102ENG EPC2102ENGRT EPC2103 EPC2103ENG EPC2103ENGRT EPC2104 EPC2104ENG EPC2104ENGRT EPC2105 EPC2105ENG EPC2105ENGRT EPC2106 EPC2106ENGRT EPC2107