EPC2038

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

EPC2038
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生 13360533550
电话：0755-83289799
地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层香港新界葵兴葵康大厦6楼
资质：营业执照
50000
EPCC
SMD
26+
-
原装原厂正品现货

EPC2038
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
EPC
模具
21+
-
质量保真，价格实惠，假一罚十

EPC2038ENGR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6890
EPC
剪切带（CT
1521+
-
全新原装现货

1/1页 40条/页共7条
1

您是不是要找： EPC2038ENGR EPC2039 EPC2039ENGRT EPC2040 EPC2040ENGR EPC2040ENGRT EPC2045ENGRT EPC2046ENGRT EPC2047ENGRT

EPC2038 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

EPC2038 PDF下载

功能描述
TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
500mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 20μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
0.044nC @ 5V
Vgs（最大值）
+6V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
8.4pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
3.3 欧姆 @ 50mA，5V
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
模具
封装/外壳
模具
标准包装
1

EPC2038 技术参数

EPC2037ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 80μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.12nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12.5pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2037 功能描述:TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 80μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.12nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:14pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 100mA，5V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:模具封装/外壳:模具标准包装:1 EPC2036ENGRT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE 制造商:epc 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 600μA Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:90pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:模具封装/外壳:模具标准包装:1 EPC2036 功能描述:TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 1A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 600μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.91nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:90pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2035 功能描述:TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 1A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 800μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.15nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:115pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2049ENGRT EPC2100 EPC2100ENG EPC2100ENGRT EPC2101 EPC2101ENG EPC2101ENGRT EPC2102 EPC2102ENG EPC2102ENGRT EPC2103 EPC2103ENG EPC2103ENGRT EPC2104 EPC2104ENG EPC2104ENGRT EPC2105 EPC2105ENG