EPC2036ENGRT

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说明
操作

EPC2036ENGRT
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
2023
EPC
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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功能描述
MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE
制造商
epc
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 600μA
Vgs（最大值）
+6V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
90pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
模具
封装/外壳
模具
标准包装
1

EPC2036ENGRT 技术参数

EPC2036 功能描述:TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 1A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 600μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.91nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:90pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2035 功能描述:TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 1A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 800μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.15nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:115pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2034ENGRT 功能描述:TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:940pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2034ENGR 功能描述:TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:无货 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:940pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC2034 功能描述:TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:GaNFET (Gallium Nitride) 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:48A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:950pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:* 安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2045ENGRT EPC2046ENGRT EPC2047ENGRT EPC2049ENGRT EPC2100 EPC2100ENG EPC2100ENGRT EPC2101 EPC2101ENG EPC2101ENGRT EPC2102 EPC2102ENG EPC2102ENGRT EPC2103 EPC2103ENG EPC2103ENGRT EPC2104 EPC2104ENG