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参数资料
| 型号： | ECH8309-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1780pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8309
--7
--6
ID -- VDS
--10
--9
VDS= --6V
ID -- VGS
--8
--5
--4
--7
--6
--5
--3
--2
--1.5V
--4
--3
--2
--1
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
VGS= --1.2V
--0.8 --0.9 --1.0
--1
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
= --1.
I = --
2.5V, D
= --
V, I D=
= --4.5
50
45
40
35
30
25
20
15
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
ID= --1.0A
--2.0A
--4.5A
IT13985
Ta=25 ° C
45
40
35
30
25
20
15
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
= --1.0A
8V, I D
VGS
2.0A
VGS
--4.5A
V GS
IT13986
10
5
10
5
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
25 °
5 ° C
--2
a=
75 °
5
3
2
10
7
5
3
2
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
VDS= --6V
C
T C
IT14418
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT14419
VGS=0V
1.0
7
5
3
2
3
2
--0.1
7
5
3
0.1
7
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
--0.01
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
2
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT13989
VDD= --6V
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT13990
f=1MHz
1000
VGS= --4.5V
3
7
5
3
2
Ciss
2
td(off)
1000
100
7
5
3
2
tf
tr
td(on)
7
5
3
2
C os s
Crss
10
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
100
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
Drain Current, ID -- A
IT13991
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13992
No. A1418-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH8310-TL-H | MOSFET P-CH 30V 9A ECH8 |
| ECH8315-TL-H | MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8 |
| ECH8410-TL-H | MOSFET N-CH 30V 12A ECH8 |
| ECH8419-TL-H | MOSFET N-CH 35V 9A ECH8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8310 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8310_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8310-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ECH8315 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8315-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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