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参数资料
| 型号： | ECH8309-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1780pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8309
era
1m
10
0m
n(
Ta
25
° C
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
VDS= --6V
ID= --9.5A
VGS -- Qg
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
ASO
IDP= --40A
ID= --9.5A
DC
op
Operation in this area
is limited by RDS(on).
t i o
10
=
s
PW≤10μs
s
ms
)
Ta=25 ° C
--0.01
--1.0
--0.5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
--0.1
7
5
3
2 Single pulse
--0.01 When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10
2
3
1.8
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT14420
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14421
1.6
1.5
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT14422
No. A1418-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH8310-TL-H | MOSFET P-CH 30V 9A ECH8 |
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| ECH8410-TL-H | MOSFET N-CH 30V 12A ECH8 |
| ECH8419-TL-H | MOSFET N-CH 35V 9A ECH8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8310 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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| ECH8310-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ECH8315 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8315-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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