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参数资料
| 型号： | EM6J1T2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 200MA EMT6 |
| 产品目录绘图： | EM6 Series EMT-6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 115pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | EMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | EM6J1T2RDKR |
1.2V Drive Pch MOSFET
EM6J1
Structure
Silicon P-channel MOSFET
Dimensions (Unit : mm)
EMT6
Features
1) Two Pch MOSFET are put in EMT6 package.
2) High-speed switching.
3) Ultra low voltage drive (1.2V drive).
4) Built-in G-S Protection Diode.
Abbreviated symbol : J01
Each lead has same dimensions
Applications
Switching
Packaging specifications
Inner circuit
Type
Package
Code
Taping
T2R
(6)
(5)
? 1
(4)
Basic ordering unit (pieces)
8000
EM6J1
? 2
? 1
? 2
(1) Tr1 Source
(2) Tr1 Gate
(3) Tr2 Drain
(1)
(2)
(3)
(4) Tr2 Source
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
<It is the same ratings for the Tr1 and Tr2.>
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(5) Tr2 Gate
(6) Tr1 Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
? 20
± 10
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body Diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
± 200
± 800
? 100
? 800
mA
mA
mA
mA
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
P D ? 2
Tch
Tstg
150
120
150
? 55 to + 150
mW / TOTAL
mW / ELEMENT
° C
° C
? 1 Pw 10 μ s, Duty cycle 1%
? 2 Each terminal mounted on a recommended land
Thermal resistance
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Channel to ambient
Rth (ch-a)
?
833
1042
° C / W / TOTAL
° C / W / ELEMENT
? Each therminal mounted on a recommended land
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.05 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EM6K6T2R | MOSFET 2N-CH 20V 300MA EMT6 |
| EM6K7T2R | MOSFET 2N-CH 20V 200MA EMT6 |
| EM6M1T2R | MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6 |
| EM6M2T2R | MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6 |
| EMH1303-TL-E | MOSFET P-CH 12V 7A EMH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EM6K1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Nch MOS FET |
| EM6K1_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Nch MOS FET |
| EM6K18000 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching (30V, 0.1A) |
| EM6K1T2R | 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V .1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| EM6K31 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch Nch MOSFET |
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