- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录411 > EM6J1T2R (Rohm Semiconductor)MOSFET 2P-CH 20V 200MA EMT6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | EM6J1T2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 200MA EMT6 |
| 产品目录绘图： | EM6 Series EMT-6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 115pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | EMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | EM6J1T2RDKR |
EM6J1
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
<It is the same ratings for the Tr1 and Tr2.>
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS = ± 10V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
? 20
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS =0V
?
?
?
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
I DSS
V GS (th)
R DS (on)
Y fs ?
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r
t d (off) ?
t f
Q g ?
Q gs ?
Q gd ?
?
? 0.3
?
?
?
?
?
0.2
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
0.8
1.0
1.3
1.6
2.4
?
115
10
6
6
4
17
17
1.4
0.3
0.3
? 1
? 1.0
1.2
1.5
2.2
3.5
9.6
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
μ A
V
?
?
?
?
?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS = ? 20V, V GS =0V
V DS = ? 10V, I D = ? 100 μ A
I D = ? 200mA, V GS = ? 4.5V
I D = ? 100mA, V GS = ? 2.5V
I D = ? 100mA, V GS = ? 1.8V
I D = ? 40mA, V GS = ? 1.5V
I D = ? 10mA, V GS = ? 1.2V
V DS = ? 10V, I D = ? 200mA
V DS = ? 10V
V GS =0V
f=1MHz
V DD ? 10V
I D = ? 100mA
V GS = ? 4.5V
R L 100 ?
R G =10 ?
V DD ? 10V, I D = ? 200mA
V GS = ? 4.5V
R L 50 ?, R G =10 ?
? Pulsed
Body diode characteristics (Source-drain)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD ?
Min.
?
Typ.
?
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I S = ? 200mA, V GS = 0V
? Pulsed
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2/4
2009.05 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EM6K6T2R | MOSFET 2N-CH 20V 300MA EMT6 |
| EM6K7T2R | MOSFET 2N-CH 20V 200MA EMT6 |
| EM6M1T2R | MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6 |
| EM6M2T2R | MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6 |
| EMH1303-TL-E | MOSFET P-CH 12V 7A EMH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EM6K1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Nch MOS FET |
| EM6K1_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Nch MOS FET |
| EM6K18000 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching (30V, 0.1A) |
| EM6K1T2R | 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V .1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| EM6K31 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch Nch MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。