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参数资料
| 型号： | FDA15N65 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 650V 16A TO-3PN |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-3P(N) |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 440 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3095pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 260W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
10
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS
Figure 2. Transfer Characteristics
2
10
1
Top :
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
10
150 C
10
25 C
-55 C
0
1
o
o
o
* Notes :
* Notes :
10
10
10
10
2. T C = 25 C
10
-1
-1
0
1
1. 250 μ s Pulse Test
o
0
2
4
6
8
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
12
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.0
0.8
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
10
0.6
V GS = 10V
1
150 C
25 C
* Note : T J = 25 C
0.4
0.2
V GS = 20V
o
o
o
* Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.0
0
10
20
30
40
50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
5000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
12
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
4000
C oss
C iss
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
8
V DS = 130V
V DS = 325V
V DS = 520V
3000
6
2000
* Note ;
4
1000
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
* Note : I D = 15A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
10
20
30
40
50
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
FDA15N65 Rev. A
3
www.fairchildsemi.com
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