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参数资料
| 型号： | FDA15N65 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 650V 16A TO-3PN |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-3P(N) |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 440 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3095pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 260W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0 3.0
2.5 2.5
1.1
2.0 2.0
1.0
1.0
1.5 1.5
1.0
0.5
1. V GS
0.9
* Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
* Notes :
* Notes : = 10 V
V I 10 A D
1. 2. GS = 5.5 V
2. I D = 8 A
T J , Junction Temperature [ C]
0.0
-100
-50
0 0
50
100
T T J , J , Junction Temperature [ [ C]
Junction Temperature o C]
150
200
0.8
-100
-50
0 50 100
o
150
200
0.0
-100
-50
50 100
o
150
200
Figure 9. Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
18
2
10 μ s
100 μ s
15
10
1
1 ms
10 ms
100 ms
12
10
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0
-1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
DC
* Notes :
o
o
3. Single Pulse
9
6
3
10
10
10
10
10
-2
0
1
2
3
0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature [ C]
V DS , Drain-Source Voltage [V]
o
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
10
0
D = 0 .5
10
-1
0 .2
0 .1
P DM
0 .0 5
t 1
t 2
1 . Z θ J C ( t) = 0 .4 8
C /W M a x .
10
-2
0 .0 2
0 .0 1
s in g le p u ls e
* N o te s :
o
2 . D u ty F a c to r , D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C ( t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
FDA15N65 Rev. A
4
www.fairchildsemi.com
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