参数资料
型号: FDA15N65
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 650V 16A TO-3PN
产品变化通告: Product Discontinuation 27/Feb/2012
产品目录绘图: MOSFET TO-3P(N)
标准包装: 30
系列: UniFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 16A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 440 毫欧 @ 8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3095pF @ 25V
功率 - 最大: 260W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-3PN
包装: 管件
产品目录页面: 1607 (CN2011-ZH PDF)
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
FDA15N65 Rev. A
6
www.fairchildsemi.com
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