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参数资料
| 型号： | FDB039N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| 产品目录绘图： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.9 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 133nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8235pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 231W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB039N06DKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
175 C
1000
100
V GS = 15.0V
10.0V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
1000
100
*Notes:
1. V DS = 10V
2. 250 μ s Pulse Test
o
25 C
10
o
10
-55 C
1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
2. T C = 25 C
0.1
0.01
0.1 1
o
6
1
2
3
4 5 6 7
8
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
3.6
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
1000
175 C
3.2
V GS = 10V
100
o
25 C
o
2.8
V GS = 20V
10
*Notes:
1. V GS = 0V
*Note: T C = 25 C
2.4
0
60
120 180 240 300
o
360
1
0.2
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
10000
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
C iss
8
V DS = 12V
V DS = 30V
V DS = 48V
6
1000
*Note:
1. V GS = 0V
C oss
4
2. f = 1MHz
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
C rss
2
Crss = Cgd
100
0.1
1 10
30
0
0
20
*Note: I D = 75A
40 60 80 100
120
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB039N06 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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