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参数资料
| 型号： | FDB039N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| 产品目录绘图： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.9 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 133nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8235pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 231W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB039N06DKR |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
1.1
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.4
2.0
1.6
1.0
1.2
0.9
*Notes:
1. V GS = 0V
0.8
*Notes:
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-80
-40
2. I D = 10mA
0 40 80 120 160 200
o
0.4
-75
2. I D = 75A
-25 25 75 125 175
o
225
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
1000
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
200
100
100 μ s
1ms
160
120
10
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10ms
100ms
1s
80
Limited by package
1. T C = 25 C
2. T J = 175 C
1
*Notes:
o
o
3. Single Pulse
40
T C , Case Temperature [ C ]
0.1
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100
0
25
50 75 100 125 150
o
175
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
P DM
0.02
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 0.65 C/W Max.
0.01
0.01
Single pulse
*Notes:
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
10
10
10
10
10
0.001
-5
-4
-3
-2
-1
1
10
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB039N06 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDB045AN08A0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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