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参数资料
| 型号： | FDB082N15A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 150V 105A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 105A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.2 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 84nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6040pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 231W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB082N15AFSDKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
175 C
500
V GS = 10.0V
8.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
300
100
o
25 C
-55 C
100
o
10
o
2. T C = 25 C
10
0.1
1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
10
1
2
*Notes:
1. V DS = 10V
2. 250 μ s Pulse Test
3 4 5
6
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
14
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
12
100
175 C
25 C
10
8
6
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
o
*Notes:
*Note: T C = 25 C
4
0
100 200 300 400
o
1
0.0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.5 1.0
1.5
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
10000
C iss
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
1000
C oss
8
6
V DS = 30V
V DS = 75V
V DS = 120V
C rss
4
100
*Note:
1. V GS = 0V
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
2
50
0.1
2. f = 1MHz
Crss = Cgd
1 10
30
0
0
*Note: I D = 75A
14 28 42 56
70
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB082N15A Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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