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参数资料
| 型号： | FDB082N15A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 150V 105A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 105A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.2 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 84nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6040pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 231W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB082N15AFSDKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 12. Transient Thermal Response Curve
1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
P DM
1. Z θ JC (t) = 0.51 C/W Max.
0.01
0.02
0.01
Single pulse
t 1
t 2
*Notes:
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
10
1E-3
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1
0
1 ,
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB082N15A Rev. C2
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB088N08 | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK |
| FDB110N15A | MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK |
| FDB120N10 | MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK |
| FDB12N50FTM_WS | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK |
| FDB12N50TM | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB088N08 | 功能描述:MOSFET NCH 75V 8.8Mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB-1 | 功能描述:化学物质 2OZ POLY BOTTLE 10/ RoHS:否 制造商:3M Electronic Specialty 产品:Adhesives 类型:Epoxy Compound 大小:1.7 oz 外壳:Plastic Tube |
| FDB101 | 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB-1012 | 制造商:Finisar Corporation 功能描述:GBIC EVALUATION BOARD - Boxed Product (Development Kits) |
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