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参数资料
| 型号： | FDB082N15A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 150V 105A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 105A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.2 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 84nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6040pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 231W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB082N15AFSDKR |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.10
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.05
2.0
1.00
1.5
1.0
0.95
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.90
-100
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.5
0.0
-100
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 75A
-50 0 50 100 150 200
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
1000
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
120
100
10
Operation in This Area
10 μ s
100 μ s
1ms
100
80
60
V GS = 10V
1
is Limited by R DS(on)
10ms
SINGLE PULSE
DC
40
T C = 25 C
T J = 175 C
0.1
o
o
20
R θ JC = 0.51 C/W
R θ JC = 0.51 C/W
T C , Case Temperature [ C]
0.01
0.1
o
1 10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
300
0
25
o
50 75 100 125 150
o
175
Figure 11. Unclamped Inductive Switching
Capability
300
100
If R = 0
t AV = (L) ( I AS ) / ( 1.3*RATED BV DSS -V DD )
If R = 0
t AV = (L/R)In [( I AS *R ) / ( 1.3*RATED BV DSS -V DD ) +1 ]
STARTING T J = 150 C
o
STARTING T J = 25 C
10
o
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB082N15A Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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