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参数资料
| 型号： | FDB088N08 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK |
| 产品目录绘图： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.8 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 118nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6595pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 160W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB088N08DKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
500
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
500
175 C
100
7.0 V
6.5 V
6.0 V
100
o
25 C
-55 C
2. T C = 25 C
10
5.5 V
5.0 V
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
10
o
o
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
2
0.2
0.1 1
10
1
2
3
4 5 6
7
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.020
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
175 C
25 C
0.015
0.010
V GS = 10V
100
o
o
*Note: T C = 25 C
V GS = 20V
o
10
*Notes:
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.005
0
100 200
300
3
0.0
0.4 0.8 1.2
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
8000
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
6000
C iss
Ciss = Cgs + Cgd (Cds = shorted)
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
8
V DS = 15V
V DS = 37.5V
V DS = 60V
6
4000
C oss
4
2000
C rss
*Notes:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
2
*Note: I D = 75A
0
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
20 40 60 80
Q g , Total Gate Charge [nC]
100
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB088N08 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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