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参数资料
| 型号： | FDB088N08 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK |
| 产品目录绘图： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.8 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 118nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6595pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 160W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB088N08DKR |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 1mA
0.5
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 75A
T J , Junction Temperature [ C ]
-50 0 50 100 150
T J , Junction Temperature [ C]
0.8
-100
-50 0 50 100 150
o
200
0.0
-100
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
1000
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
100
100
10
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
100 μ s
1ms
10ms
100ms
80
60
40
T C = 25 C
T J = 175 C
1
SINGLE PULSE
o
o
DC
20
R θ JC = 0.94 C/W
T C , Case Temperature [ C ]
0.1
1
o
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100
0
25
50 75 100 125 150
o
175
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
2
1
0.5
0.2
1. Z θ JC (t) = 0.94 C/W Max.
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
0.01
Single pulse
P DM
t 1
*Notes: t 2
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
10
10
0.05
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
0
1
1 ,
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB088N08 Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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