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参数资料
| 型号： | FDC6303N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 680mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 450 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1216 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6303NDKR |
Typical Electrical Characteristics
1.5
V GS = 4.5V
2.5
2
3.5
1.2
0.9
3.0
2.7
2.0
1.5
V GS = 2.0V
2.5
0.6
1
2.7
3.0
3.5
4.5
0.3
1.5
0
0
0.5
1
1.5
2
0.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.6
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics .
I D =0.5 A
2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage .
ID= 0.5A
1.4
1.2
V GS = 4.5 V
1.6
1.2
1
0.8
0.8
0.4
125°C
25°C
0.6
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature .
1
Figure 4. On Resistance Variation with
Gate-To- Source Voltage.
1
V DS = 5.0V
T = -55°C
J
25°C
0.8
125°C
0.1
V GS = 0V
T J = 125°C
25°C
0.6
0.01
-55°C
0.4
0.001
0.2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current and
Temperature.
FDC6303N Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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